|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling of drain current, capacitance and transconductance in thin film undoped symmetric DG MOSFETs including quantum effects |
| Auteur: |
Mohammadi, Saeed Afzali-Kusha, Ali |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 50 (2010) nr. 3 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |