|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Total-dose-induced edge effect in SOI NMOS transistors with different layouts |
| Auteur: |
Liu, Jie Zhou, Jicheng Luo, Hongwei Kong, Xuedong En, Yunfei Shi, Qian He, Yujuan |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 50 (2010) nr. 1 pagina's 3 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |