|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Characteristics of metal-oxide-semiconductor (MOS) device with Er metal gate on SiO2 film |
| Auteur: |
Choi, Chel-Jong Yang, Ha-Yong Hong, Hyo-Bong Kim, Jin-Gyu Chang, Sung-Yong Lee, Jouhahn |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 49 (2009) nr. 4 pagina's 3 p. |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |