|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 28 gevonden artikelen
| Titel: |
Anomalous narrow width effect in p-channel metal–oxide–semiconductor surface channel transistors using shallow trench isolation technology |
| Auteur: |
Lau, W.S. See, K.S. Eng, C.W. Aw, W.K. Jo, K.H. Tee, K.C. Lee, James Y.M. Quek, Elgin K.B. Kim, H.S. Chan, Simon T.H. Chan, L. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 48 (2008) nr. 6 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 28 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |