|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Suppression of Ge–O and Ge–N bonding at Ge–HfO2 and Ge–TiO2 interfaces by deposition onto plasma-nitrided passivated Ge substrates: Integration issues Ge gate stacks into advanced devices |
| Auteur: |
Lee, S. Long, J.P. Lucovsky, G. Whitten, J.L. Seo, H. Lüning, J. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 48 (2008) nr. 3 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |