|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Positive charge generation due to species of hydrogen during NBTI phenomenon in pMOSFETs with ultra-thin SiON gate dielectrics |
| Auteur: |
Tsujikawa, Shimpei Yugami, Jiro |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 45 (2005) nr. 1 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2005 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |