|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical reliability of highly reliable 256M-bit mobile DRAM with top-edge round STI and dual gate oxide |
| Auteur: |
Lee, Chihoon Park, Donggun Kim, Hyeong Joon Lee, Wonshik |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 43 (2003) nr. 5 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |