Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 3 van 21 gevonden artikelen
 
 
  A thorough investigation of hot-carrier-induced gate oxide breakdown in partially depleted N- and P-channel SIMOX MOSFETs
 
 
Titel: A thorough investigation of hot-carrier-induced gate oxide breakdown in partially depleted N- and P-channel SIMOX MOSFETs
Auteur: Liu, Hongxia
Hao, Yue
Zhu, Jiangang
Verschenen in: Microelectronics reliability
Paginering: Jaargang 42 (2002) nr. 7 pagina's 8 p.
Jaar: 2002
Inhoud:
Uitgever: Elsevier Science Ltd
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 3 van 21 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland