Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 2 van 15 gevonden artikelen
 
 
  Breakdown fields and conduction mechanisms in thin Ta2O5 layers on Si for high density DRAMs
 
 
Titel: Breakdown fields and conduction mechanisms in thin Ta2O5 layers on Si for high density DRAMs
Auteur: Atanassova, E.
Paskaleva, A.
Verschenen in: Microelectronics reliability
Paginering: Jaargang 42 (2002) nr. 2 pagina's 17 p.
Jaar: 2002
Inhoud:
Uitgever: Elsevier Science Ltd
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 2 van 15 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland