|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of transition region on the direct tunneling current and Fowler–Nordheim tunneling current oscillations in ultrathin MOS structures |
| Auteur: |
Mao, Lingfeng Zhang, Heqiu Tan, Changhua Xu, Mingzhen |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 42 (2002) nr. 2 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |