|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
On the correlation between radiation-induced oxide- and border-trap effects in the gate-oxide nMOSFET’s |
| Auteur: |
Djezzar, Boualem |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 42 (2002) nr. 12 pagina's 10 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |