|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Bias-stress-induced increase in parasitic resistance of InP-based InAlAs/InGaAs HEMTs |
| Auteur: |
Suemitsu, Tetsuya Fukai, Yoshino K Sugiyama, Hiroki Watanabe, Kazuo Yokoyama, Haruki |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 42 (2002) nr. 1 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |