|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of the gate capacitance measurement technique and its application for the evaluation of hot-carrier degradation in submicrometer MOSFETs |
| Auteur: |
Hsu, C.T Lau, M.M Yeow, Y.T |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 41 (2001) nr. 2 pagina's 9 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |