|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Second-layer polysilicon structures for gate end-around leakage-current compensation in bulk CMOS ICs |
| Auteur: |
Fouts, Douglas J McKerrow, Gary R Lum, Gary K Noe, Sidney S Lambley, Andrew S |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 40 (2000) nr. 6 pagina's 9 p. |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |