|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 14 gevonden artikelen
| Titel: |
Improvement of gate dielectric reliability for p+poly MOS devices using remote PECVD top nitride deposition on ultra-thin (2.4–6 nm) gate oxides |
| Auteur: |
Wu, Y Lucovsky, G |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 39 (1999) nr. 3 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 14 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |