|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
InP/GaAs0.51Sb0.49/InP fully self-aligned double heterojunction bipolar transistors with a C-doped base: a preliminary reliability study |
| Auteur: |
Bolognesi, C.R. Matine, N. Xu, X.G. Soerensen, G. Watkins, S.P. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 39 (1999) nr. 12 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |