|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Threshold voltage shift in 0.1 μm self-aligned-gate GaAs MESFETs under bias stress and related degradation of ultra-high-speed digital ICs |
| Auteur: |
Fukai, Yoshino K. Yamasaki, Kimiyoshi Nishimura, Kazumi |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 39 (1999) nr. 12 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 18 gevonden artikelen
| << vorige |