|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
A new threshold voltage model for deep-submicron MOSFETs with nonuniform substrate dopings |
| Auteur: |
Zhang, Wen-liang Yang, Zhi-lian |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 38 (1998) nr. 9 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 19 gevonden artikelen
| volgende >> |