|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
On the determination of the time-dependent degradation laws and device lifetime in deep submicron n- and p- channel SOI MOSFETs |
| Auteur: |
Renn, S.-H Balestra, F |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 38 (1998) nr. 12 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |