|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Numerical analysis on determining the physical mechanisms contributing to the abnormal base current in post-burn-in AlGaAs/GaAs HBTs |
| Auteur: |
Sheu, S Liou, J.J Huang, C.I |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 38 (1998) nr. 1 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |