|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 27 van 78 gevonden artikelen
| Titel: |
Enhancement of t bd of mos gate oxides with a single-step pre-stress prior to a CVS in the Fowler-Nordheim regime |
| Auteur: |
Martini, A. Ribbrock, T. O'Sullivan, P. Mathewson, A. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 36 (1996) nr. 11-12 pagina's 1647-1650 |
| Jaar: |
1996 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 27 van 78 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |