|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 78 gevonden artikelen
| Titel: |
Assessment of oxide charge density and centroid from Fowler-Nordheim derivative characteristics in MOS structures after uniform gate stress |
| Auteur: |
Kies, R. Egilsson, T. Ghibaudo, G. Pananakakis, G. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 36 (1996) nr. 11-12 pagina's 1619-1622 |
| Jaar: |
1996 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 78 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |