|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 29 van 141 gevonden artikelen
| Titel: |
A simple, analytical model for hot-carrier induced degradation in n-channel MOSFETs |
| Auteur: |
Giebel, T. Goser, K. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 32 (1992) nr. 4 pagina's 11 p. |
| Jaar: |
1992 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 29 van 141 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |