|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 52 van 140 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth and characterization of high-quality InP/Ga0.25In0.75As0.5P0.5 and InP/Ga0.17In0.83As0.35P0.65 grown by the LP-MOCVD technique |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 30 (1990) nr. 5 pagina's 1 p. |
| Jaar: |
1990 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 52 van 140 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |