|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 56 van 129 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of the charge carriers recombination and generation at the surface of the depletion layer on the static characteristic of the silicon p-n junction |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 26 (1986) nr. 6 pagina's 1 p. |
| Jaar: |
1986 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 56 van 129 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |