|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 106 van 143 gevonden artikelen
| Titel: |
Properties of Mn-doped p-type In x Ga 1−x As y P 1−y grown by liquid-phase epitaxy |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 23 (1983) nr. 1 pagina's 1 p. |
| Jaar: |
1983 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 106 van 143 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |