|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 107 van 132 gevonden artikelen
| Titel: |
Statistical fluctuations of dopant impurities in ion-implanted bipolar transistor structures and the minimum device dimensions for vlsi system reliability |
| Auteur: |
Prucnal, P.R Hwang, W Card, H.C |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 20 (1980) nr. 5 pagina's 14 p. |
| Jaar: |
1980 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 107 van 132 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |