|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 28 gevonden artikelen
| Titel: |
Modified TCAD simulation approach for 4H-SiC JBS diode to investigate electron trapping effects |
| Auteur: |
Kumari, Shikha Brosselard, Pierre Planson, Dominique Raja, P. Vigneshwara |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 173 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 28 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |