|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Gate oxide lifetime modeling of vertical SiC-MOS under accelerated reverse bias (ARB) |
| Auteur: |
Biswas, Ayan K. Lichtenwalner, Daniel J. Hull, Brett Gajewski, Donald A. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 172 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |