|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Long-term positive and negative gate bias stress tests on parallel connected SiC MOSFETs at −40 °C and 175 °C |
| Auteur: |
Deb, A. Taha, M. Gonzalez, J. Ortiz Mawby, P. Jahdi, S. Etoz, B. Alatise, O. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 172 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |