|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 63 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of the long-term dynamic R DS(on) variation and dynamic high temperature operating life test robustness of Schottky gate and ohmic gate GaN HEMT with comparable stress conditions |
| Auteur: |
Rauf, Fawad Tayyab, Muhammad Farhan Mouhoubi, Samir Heldwein, Marcelo Lobo Curatola, Gilberto |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 168 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 63 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |