|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 27 van 63 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of drain-source leakage on the dynamic Ron of power HEMTs with p-GaN gate |
| Auteur: |
Longato, S.L. Favero, D. Stockman, A. Nardo, A. Vanmeerbeek, P. Tack, M. Meneghesso, G. Zanoni, E. De Santi, C. Meneghini, M. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 168 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 27 van 63 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |