|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 63 gevonden artikelen
| Titel: |
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase |
| Auteur: |
Fraccaroli, Riccardo Fregolent, Manuel Boito, Mirco De Santi, Carlo Canato, Eleonora Rossetto, Isabella Castagna, Maria Eloisa Miccoli, Cristina Russo, Alfio Iucolano, Ferdinando Pirani, Alessio Pizzo, Giansalvo Meneghesso, Gaudenzio Zanoni, Enrico Meneghini, Matteo |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 168 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 63 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |