|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of gate oxide thickness on gate latent damage induced by heavy ion in SiC power MOSFETs |
| Auteur: |
Zhao, Shiwei Liu, Yuzhu Yan, Xiaoyu Hu, Peipei Li, Xinyu Chen, Qiyu Zhai, Pengfei Zhang, Teng Jiao, Yang Sun, Youmei Liu, Jie |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 167 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |