|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Study on electron and gamma irradiation effects and damage mechanism of GaN HEMT |
| Auteur: |
Li, Hongxia Guo, Hongping Cao, Rongxing Tu, Hui Huang, Xin Xue, Yuxiong Zeng, Xianghua |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 167 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |