|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 52 van 96 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of the transition from tunneling to impact ionization multiplication in silicon p-n junction |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 15 (1976) nr. 2 pagina's 1 p. |
| Jaar: |
1976 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 52 van 96 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |