|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
A novel p-GaN HEMT with AlInN/AlN/GaN double heterostructure and InAlGaN back-barrier |
| Auteur: |
Garg, Tanvika Kale, Sumit |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 145 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |