|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 110 van 115 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of the influence of gate etching and passivation on current dispersion, trapping and reliability in RF 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs |
| Auteur: |
Chiocchetta, F. De Santi, C. Rampazzo, F. Mukherjee, K. Grünenpütt, Jan Sommer, Daniel Blanck, Hervé Lambert, Benoit Gerosa, A. Meneghesso, G. Zanoni, E. Meneghini, M. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 138 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 110 van 115 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |