|
Role of p-GaN layer thickness in the degradation of InGaN-GaN MQW solar cells under 405 nm laser excitation |
|
|
|
Titel: |
Role of p-GaN layer thickness in the degradation of InGaN-GaN MQW solar cells under 405 nm laser excitation |
Auteur: |
Nicoletto, Marco Caria, Alessandro De Santi, Carlo Buffolo, Matteo Huang, Xuanqi Fu, Houqiang Chen, Hong Zhao, Yuji Meneghesso, Gaudenzio Zanoni, Enrico Meneghini, Matteo |
Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
Paginering: |
Jaargang 138 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2022 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|