|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Study on proton-induced single event effect of SiC diode and MOSFET |
| Auteur: |
Zhang, Hong Guo, Hong-xia Zhang, Feng-qi Lei, Zhi-feng Pan, Xiao-yu Liu, Yi-tian Gu, Zhao-qiao Ju, An-an Zhong, Xiang-li Ouyang, Xiao-ping |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 124 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |