|
Short term reliability and robustness of ultra-thin barrier, 110 nm-gate AlN/GaN HEMTs |
|
|
|
Titel: |
Short term reliability and robustness of ultra-thin barrier, 110 nm-gate AlN/GaN HEMTs |
Auteur: |
Gao, ZHan Meneghini, Matteo Harrouche, Kathia Kabouche, Riad Chiocchetta, Francesca Okada, Etienne Rampazzo, Fabiana De Santi, Carlo Medjdoub, Farid Meneghesso, Gaudenzio Zanoni, Enrico |
Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
Paginering: |
Jaargang 123 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2021 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|