|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Ionizing radiation damage in 65 nm CMOS technology: Influence of geometry, bias and temperature at ultra-high doses |
| Auteur: |
Borghello, G. Lerario, E. Faccio, F. Koch, H.D. Termo, G. Michelis, S. Marquez, F.J. Palomo, F.R. Muñoz, F. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 116 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |