|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 175 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of drain current transient stability of AlGaN/GaN HEMT stressed under HTOL & HTRB, by random telegraph noise and low frequency noise characterizations |
| Auteur: |
Tartarin, J.G. Lazar, O. Rumeau, A. Franc, B. Bary, L. Lambert, B. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 114 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 175 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |