|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 154 van 175 gevonden artikelen
| Titel: |
Separation of electron and hole trapping components of PBTI in SiON nMOS transistors |
| Auteur: |
Waltl, Michael Stampfer, Bernhard Rzepa, Gerhard Kaczer, Ben Grasser, Tibor |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 114 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 154 van 175 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |