|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 125 van 175 gevonden artikelen
| Titel: |
Non thermally-activated transients and buffer traps in GaN transistors with p-type gate: A new method for extracting the activation energy |
| Auteur: |
Nardo, A. Meneghini, M. Barbato, A. De Santi, C. Meneghesso, G. Zanoni, E. Sicre, S. Sayadi, L. Prechtl, G. Curatola, G. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 114 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 125 van 175 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |