|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Study on interfacial trap location induced subthreshold slope degradation extracted by random telegraph noise for high-k/metal gate FinFET devices |
| Auteur: |
Yang, Yi-Lin Zhang, Wenqi Chen, Yu-Lin Yeh, Wen-Kuan |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 111 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |