|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
TCAD simulation of hot-carrier stress degradation in split-gate n-channel STI-LDMOS transistors |
| Auteur: |
Giuliano, Federico Magnone, Paolo Pistollato, Simone Tallarico, Andrea Natale Reggiani, Susanna Fiegna, Claudio Depetro, Riccardo Rossetti, Mattia Croce, Giuseppe |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 109 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |