|
Total ionizing dose effects on resistance stability of Pt/HfO2/Al2O3/TiN structure RRAM devices |
|
|
|
Titel: |
Total ionizing dose effects on resistance stability of Pt/HfO2/Al2O3/TiN structure RRAM devices |
Auteur: |
Luo, Haipeng Liang, Yifan Tang, Minghua Li, Gang Xiong, Ying Sun, Yunlong Liu, Yulin Ouyang, Sha Xiao, Yongguang Yan, Shaoan Zhang, Wanli Chen, Qilai Li, Zheng |
Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
Paginering: |
Jaargang 106 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2020 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|