|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 994 van 2989 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of short-circuit stress on the degradation of the SiO2 dielectric in SiC power MOSFETs |
| Auteur: |
Reigosa, Paula Diaz Iannuzzo, Francesco Ceccarelli, Lorenzo |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 88-90 (2018) nr. C pagina's 577-583 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 994 van 2989 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |