Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 960 van 2989 gevonden artikelen
 
 
  Effect of indium content and carrier distribution on the efficiency and reliability of InGaN/GaN-based multi quantum well light emitting diode
 
 
Titel: Effect of indium content and carrier distribution on the efficiency and reliability of InGaN/GaN-based multi quantum well light emitting diode
Auteur: Casu, C.
Buffolo, M.
Caria, A.
De Santi, C.
Zanoni, E.
Meneghesso, G.
Meneghini, M.
Verschenen in: Microelectronics reliability
Paginering: Jaargang 126 () nr. C pagina's p.
Jaar: 2021
Inhoud:
Uitgever: Elsevier Ltd
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 960 van 2989 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland